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电子元器件详细资料 » IC[33708] » ZXMN3A04DN8TA
型号:ZXMN3A04DN8TA类别:FET - 阵列制造商:Diodes Inc
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)描述:MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8-SOIC

详细参数

类别FET - 阵列
描述MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8-SOIC
系列-
制造商Diodes Inc
FET型2 个 N 沟道(双)
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)30V
电流_连续漏极(Id)0a025000C6.5A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C20 毫欧 @ 12.6A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2221V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs36.8nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds1890pF @ 15V
功率_最大1.25W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装8-SO
包装Digi-Reel®

供应商

深圳市宇明芯科技有限公司李小姐0755-83051566
深圳市芯脉实业有限公司骆0755-84507209
深圳市恒佳微电子有限公司朱经理、张小姐0755-82533156 82710336
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